贴片铝电解电容双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大局部空穴可以抵达集电结的边境，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下抵达集电区，构成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大局部 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
假如
贴片铝电解电容晶体管的共发射极电放逐大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，假如在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将呈现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，完成了双极晶体管的电放逐大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的根本工作原理是靠半导体外表的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来停止工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体外表的多数载流子棗空穴逐步减少、耗尽，而电子逐步积聚到反型。当外表到达反型时，电子积聚层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间构成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使贴片铝电解电容半导体外表到达强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电才能将改动，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 完成栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。
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